[发明专利]硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用有效
| 申请号： | 201110295036.3 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102351528A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;王磊;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;H01L29/786;H01L29/227 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于基板上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层上端，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、关态电流低及开关比高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硼化镧 掺杂 氧化物 半导体材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料，其特征在于：由氧化锌基材料掺入硼化镧组成，所述硼化镧与氧化锌基材料的质量比大于0、小于或等于0.1。
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