[发明专利]硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用

权利要求书

1.一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料，其特征在于：由氧化锌基材料掺入硼化镧组成，所述硼化镧与氧化锌基材料的质量比大于0、小于或等于0.1。

2.根据权利要求1所述的硼化镧掺杂的氧化物半导体材料，其特征在于：所述的氧化锌基材料的化学式为(MO)_x(In₂O₃)_y(ZnO)_1-x-y，其中0≤x≤0.2，0≤y≤0.8；MO为Ga₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅中的一种；所述的硼化镧的化学式为LaB₆。

3.根据权利要求2所述的硼化镧掺杂的氧化物半导体材料，其特征在于所述氧化锌基材料化学式(MO)_x(In₂O₃)_y(ZnO)_1-x-y中，0.01≤x≤0.1，0.3≤y≤0.6。

4.根据权利要求1所述的硼化镧掺杂的氧化物半导体材料，其特征在于所述硼化镧与氧化锌基材料的质量比大于或等于0.005、小于或等于0.1。

5.应用权利要求1—4的氧化物半导体材料制造一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板、栅极、绝缘层、沟通层、源极、漏极，栅极位于基板之上，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层制备在绝缘层之上，源极和漏极分别制备在沟道层的两端，其特征在于所述沟道层的材料为所述的硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。