[发明专利]AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种日盲型紫外探测器及其制备方法，包括衬底和缓冲层，所述缓冲层的上面设置有吸收层，吸收层的上面设置有SiO2层和肖特基接触电极。制备步骤包括，在缓冲层上面，采用金属有机化学气相沉积方法生长一层非故意掺杂的非故意掺杂的300nm厚的n-Al0.6Ga0.4N吸收层，载流子浓度约为8×1015cm-3；再沉积SiO2层、制作肖特基接触金属电极、再电镀压焊点、划片、引线键合、封装。本发明的特点在于器件的响应波长为200～272nm，在日盲范围内。

主权项

一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器，包括衬底(10)和设置在衬底(10)上面的缓冲层(11)，其特征在于，所述缓冲层(11)的上面设置有吸收层(12)，该吸收层(12)为非故意掺杂的300nm厚的n‑Al0.6Ga0.4N层，载流子浓度约为8×1015cm‑3，吸收层(12)的上面设置有SiO2层(13)和肖特基接触电极(14)。