[发明专利]包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201110288597.0 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102683339A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄为栋;郭俊聪;刘世昌;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 双极型 晶体管 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底；以及布置在所述衬底上的双极型晶体管，所述双极型晶体管包括：布置在至少一个含锗层周围的基极电极；布置在所述至少一个含锗层上的发射极电极；以及至少一个隔离结构，所述隔离结构布置在所述发射极电极和所述至少一个含锗层之间，所述至少一个隔离结构的顶面布置在所述发射极电极的顶面和所述至少一个含锗层的顶面之间并将它们电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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