[发明专利]一种掺氮碳纳米管的制备方法

摘要

本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体涉及一种掺氮碳纳米管的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；在所述硅衬底表面生长一层镍金属；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，通过等离子体电离所述含氮物质，使得含氮物质的氮原子掺入碳纳米管结构内部和表面，形成掺氮碳纳米管。本发明不仅能够通过ALD设备制备出碳纳米管，而且通过等离子体辅助，能够实现氮原子的掺杂，且薄膜结构完整，含氮量较容易控制，方法简单，可广泛采用。

主权项

一种掺氮碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；在所述硅衬底表面生长一层镍金属；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，通过等离子体电离所述含氮物质，使得含氮物质的氮原子掺入碳纳米管结构内部和表面，形成掺氮碳纳米管。