[发明专利]利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层

摘要

本发明是利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层。其主要是在PECVD内进行，先制作非晶硅P.I.N型半导体薄膜，制作P、I、N型非晶三层，接着本发明，在N型微晶半导体后，利用硼参杂作P型非晶，控制硼参杂制作非晶，由于穿隧效应中，要将两层之间的N/P键结产生电场缩小，故制作缺陷薄膜，让载子在内部作复合，将内建电场缩小，硼参杂的P型非晶结构，内部缺陷严重，此层较薄可保持高穿透率，让光易进入I层非晶硅内，较低电阻值作穿隧效应，完成P型非晶后，连接P型微晶，两者界面恰当，再作微晶I型及非晶N型后，完成薄膜太阳能，再作背电极得发电效率，此发明P型半导体于穿隧效应中可让电子电洞流通顺利，故可提高太阳能薄膜电池效率。

主权项

本发明主要目的是利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层，其主要是在PECVD腔体内进行制程，先由PECVD腔体制作非晶硅P.I.N型半导体薄膜，藉由调整腔体的温度(控制约200C)、制程压力(低压)、气体流量、电极与玻璃间距、以及RF power(低Power)等参数，制作成第一层P型非晶半导体、第二层I型非晶半导体、第三层N型非晶半导体三层，接着就是本发明，在N型微晶半导体后，利用硼参杂制作P型非晶半导体，其控制硼所参杂的含量来制作有间隙的非晶半导体，由于在穿隧效应中，要将两层之间的N/P键结产生的内建电场缩小，因此要制作有defect的薄膜，让载子在内部能够作recombination，且要让recombination rate增快，才可以将内建电场缩小，而制作硼参杂的P型非晶半导体，因为是非晶结构，其内部缺陷严重，且此层不需要太厚，故可以保持穿透率也较高，让光能够容易进入到第二层的非晶硅内，此外其也有较低的电阻值，故适合用作于穿隧效应用，且在制作完本发明P型非晶半导体后，可以马上连接P型微晶半导体，两者之间的界面恰当，接着再制作微晶的I型半导体及非晶的N型半导体后，及完成此薄膜太阳能核心部分，接着再制作背电极即可得其发电效率，而此发明的P型非晶半导体因为放置于穿隧效应中，可以消弥N/P内建电场，可以让电子电洞流通顺利，故可以提高太阳能薄膜电池效率。