[发明专利]一种绝缘体上纳米级硅锗材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110280667.8 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022093A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐文婷;肖清华;常青;屠海令 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上纳米级硅锗材料，包括绝缘衬底上的硅基片，该基片的顶硅层中生长有纳米级硅锗颗粒，该顶硅层为P型，电阻系数为1～10Ω·cm，顶硅层厚度为50～200nm，所述纳米级硅锗的粒径为1～30nm。其制备方法包括如下步骤：(1)绝缘衬底上的硅基片经过表面清洁后，放入离子注入设备中，保持注入方向与基片平面呈7～10°；(2)抽至高真空10-7Pa，保持室温，采用GeH4气源注入Ge离子，控制注入能量在30～200keV，注入剂量在1016～1017cm-2；(3)通入高纯氮气，升温至900～1200℃范围内退火，退火时间10～600s。该制备方法工艺过程清洁、无污染、简洁、无需缓冲层，并且制备得到的硅锗结构达到纳米级尺寸，能实现与当前集成电路工艺技术的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 纳米 级硅锗 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上纳米级硅锗材料，其特征在于：包括绝缘衬底上的硅基片，该基片的顶硅层中生长有纳米级硅锗颗粒，该顶硅层为P型，顶硅层厚度为50～200nm，所述纳米级硅锗颗粒的粒径为1～30nm。
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