[发明专利]等离子体处理系统中确定清洁或调节处理终点的装置有效
| 申请号： | 201110279931.6 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102339714A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·赫德森;道格拉斯·凯尔;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 确定 清洁 调节 终点 装置 | ||
【主权项】：
一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述装置包括：用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；用于确定所述厚度作为时间的函数的装置；以及用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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