[发明专利]等离子体处理系统中确定清洁或调节处理终点的装置有效
| 申请号： | 201110279931.6 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102339714A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·赫德森;道格拉斯·凯尔;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 确定 清洁 调节 终点 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述装置包括：
用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；
用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；
用于确定所述厚度作为时间的函数的装置；以及
用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器为共面离子流探针。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器为共面石英晶体微量天平。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理为室预调节处理。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理为无晶自动清洁处理。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理为表面化学性质控制处理。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子体处理室为电容耦合等离子体处理室。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子体处理室为电感耦合等离子体处理室。
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