[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110275916.4 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102332516A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 高成 | 申请（专利权）人： | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;姜精斌 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法。其中上述发光二极管包括：第一半导体层；沉积所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；沉积在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；第二半导体层，所述第二半导体层沉积在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上，其中，所述第二半导体层包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：第一半导体层；形成在所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；形成在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上，其中，所述第二多量子阱层包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。
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