[发明专利]制造阵列基板的方法

摘要

一种制造阵列基板的方法包括：在包括在像素区域中的晶体管区域的基板上形成第一金属层；在第一金属层上形成栅绝缘层、多晶硅的有源层；在基板整个表面上形成第二金属层；构图第二和第一金属层形成栅线、有源层上的蚀刻阻止部以及栅极，栅线接触栅极一端；形成在栅线上含开口的层间绝缘层，开口对应蚀刻阻止部并被分为暴露有源层两边的第一和第二半导体接触孔；在层间绝缘层上形成掺杂非晶硅的通过第一和第二半导体接触孔接触有源层的两边的第一和第二欧姆接触层、分别在第一和第二欧姆接触层上的源极和漏极以及交叉栅线以限定像素区域并连接源极的数据线；去除蚀刻阻止部被源极与漏极间暴露的部分；以及在像素区域形成接触漏极的像素电极。

主权项

一种制造阵列基板的方法，包括以下步骤：在包括位于像素区域中的晶体管区域的基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成多晶硅的有源层，所述栅绝缘层和所述有源层设置在所述晶体管区域中；在包括所述有源层的基板的整个表面上形成第二金属层；通过构图所述第二金属层和所述第一金属层形成栅线、蚀刻阻止部和栅极，所述栅极设置在所述晶体管区域中，并在所述栅绝缘层的下方，所述蚀刻阻止部设置在所述有源层上，所述栅线与所述栅极的一端接触；形成设置在所述栅线上并包括开口的层间绝缘层，其中所述开口与所述蚀刻阻止部对应，从而将所述开口分为分别暴露所述有源层的两边的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔；在所述层间绝缘层上形成掺杂非晶硅的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层、源极、漏极和数据线，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层分别通过所述第一半导体接触孔和所述第二半导体接触孔与所述有源层的两边接触，所述源极和所述漏极分别设置在所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上，所述数据线与所述栅线交叉以限定所述像素区域并与所述源极连接；去除所述蚀刻阻止部被所述源极与所述漏极之间的空间暴露的部分；以及在所述像素区域形成与所述漏极接触的像素电极。