[发明专利]制造阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制造阵列基板的方法，包括以下步骤：

在包括位于像素区域中的晶体管区域的基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成多晶硅的有源层，所述栅绝缘层和所述有源层设置在所述晶体管区域中；

在包括所述有源层的基板的整个表面上形成第二金属层；

通过构图所述第二金属层和所述第一金属层形成栅线、蚀刻阻止部和栅极，所述栅极设置在所述晶体管区域中，并在所述栅绝缘层的下方，所述蚀刻阻止部设置在所述有源层上，所述栅线与所述栅极的一端接触；

形成设置在所述栅线上并包括开口的层间绝缘层，其中所述开口与所述蚀刻阻止部对应，从而将所述开口分为分别暴露所述有源层的两边的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔；

在所述层间绝缘层上形成掺杂非晶硅的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层、源极、漏极和数据线，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层分别通过所述第一半导体接触孔和所述第二半导体接触孔与所述有源层的两边接触，所述源极和所述漏极分别设置在所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上，所述数据线与所述栅线交叉以限定所述像素区域并与所述源极连接；

去除所述蚀刻阻止部被所述源极与所述漏极之间的空间暴露的部分；以及在所述像素区域形成与所述漏极接触的像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成栅线、蚀刻阻止部和栅极的步骤包括形成数据焊盘电极和在所述栅线的一端形成栅极焊盘电极，其中所述数据焊盘电极与所述数据线电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极焊盘电极和所述数据焊盘电极的每一个都具有双层结构，其中所述双层结构的第一层和第二层分别由所述第一金属层和所述第二金属层形成。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述层间绝缘层进一步包括暴露所述栅极焊盘电极的栅极焊盘接触孔，以及包括分别暴露所述数据焊盘电极的两端的第一数据焊盘接触孔和第二数据焊盘接触孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述形成像素电极的步骤包括形成辅助栅极焊盘电极、辅助数据焊盘电极和数据连接图案，其中所述辅助栅极焊盘电极通过所述栅极焊盘接触孔与所述栅极焊盘电极接触，所述辅助数据焊盘电极通过所述第一数据焊盘接触孔与所述数据焊盘电极接触，其中所述数据连接图案的一端通过所述第二数据焊盘接触孔与所述数据焊盘电极接触，所述数据连接图案的另一端与所述数据线接触。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在包括所述源极和所述漏极的基板的整个表面上形成钝化层；

将所述钝化层构图形成漏极接触孔；

其中像素电极设置在所述钝化层上，并通过所述漏极接触孔与所述漏极接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成栅线、蚀刻阻止部和栅极的步骤包括形成数据焊盘电极和在所述栅线的一端形成栅极焊盘电极，其中所述数据焊盘电极与所述数据线电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其中将所述钝化层构图的步骤进一步包括将所述钝化层与所述层间绝缘层一同构图，从而形成暴露所述栅极焊盘电极的栅极焊盘接触孔、分别暴露所述数据焊盘电极的两端的第一数据焊盘接触孔和第二数据焊盘接触孔、以及暴露所述数据线的一端的数据线接触孔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成像素电极的步骤包括形成辅助栅极焊盘电极、辅助数据焊盘电极和数据连接图案，其中所述辅助栅极焊盘电极通过所述栅极焊盘接触孔与所述栅极焊盘电极接触，所述辅助数据焊盘电极通过所述第一数据焊盘接触孔与所述数据焊盘电极接触，其中所述数据连接图案的一端通过所述第二数据焊盘接触孔与所述数据焊盘电极接触，所述数据连接图案的另一端通过所述数据线接触孔与所述数据线接触。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括具有约800℃以上熔点的金属材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属材料包括钼、钼钛合金、铜和铜合金之一。