[发明专利]制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置有效
| 申请号： | 201110266496.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102800551A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴常明;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及装置。该方法包括以下步骤：置放基板于等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一上电极板及一下电极板；持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及间断地提供一偏压射频电力至该下电极板。当该偏压射频电力被切换至关状态时，大量二次电子会通过主体等离子且到达该基板而与正离子中和。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高宽深 结构 等离子 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一光罩于一基板上，其中该光罩具有一图案；置放该基板及光罩于一等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一处理室、一上电极板及一下电极板，该上电极板及该下电极板位于该处理室内，且该下电极板包括一夹具，用以夹持该基板；导入一处理气体至该处理室中；在等离子蚀刻工艺中，持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及提供一偏压射频电力至该下电极板，以在该处理室内产生等离子而得以根据该光罩的图案蚀刻该基板，其中，在等离子蚀刻工艺中，该偏压射频电力间断地提供。
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