[发明专利]制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置

权利要求书

1.一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一光罩于一基板上，其中该光罩具有一图案；

置放该基板及光罩于一等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一处理室、一上电极板及一下电极板，该上电极板及该下电极板位于该处理室内，且该下电极板包括一夹具，用以夹持该基板；

导入一处理气体至该处理室中；

在等离子蚀刻工艺中，持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及

提供一偏压射频电力至该下电极板，以在该处理室内产生等离子而得以根据该光罩的图案蚀刻该基板，其中，在等离子蚀刻工艺中，该偏压射频电力间断地提供。

2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该基板具有一介电层，且该光罩位于该介电层上。

3.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该光罩为一碳硬罩。

4.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该处理气体包含一蚀刻气体及一沉积气体。

5.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，还包括一在该等离子蚀刻工艺中间断地提供一下源射频电力至该下电极板，且该下源射频电力与该偏压射频电力同步提供的步骤。

6.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该偏压射频电力为一脉冲电力，且在开与关之间交替切换，其中该偏压射频电力在开状态时提供，而该偏压射频电力在关状态时则被切断。

7.根据权利要求6所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该开状态的持续时间为1至100微秒，且该关状态的持续时间为1至100微秒。

8.根据权利要求6所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，当该偏压射频电力切换至关状态时，该处理气体从该处理室被移除，且一添加气体被导入该处理室中。

9.根据权利要求8所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，该添加气体选自由氩、氦、氙、氮、氢及其混合物所组成的群。

10.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，包括：

一处理室；

一上电极板，位于该处理室内；

一下电极板，位于该处理室内，该下电极板包括一夹具，用以夹持一基板；

一气体源，连接至该处理室，用以导入一处理气体至该处理室中；

一上源射频电力供应器，电气连接至该上电极板，且在等离子蚀刻工艺中，持续提供一上源射频电力至该上电极板；

一直流电力供应器，电气连接至该上电极板，且在等离子蚀刻工艺中，持续提供一直流电力至该上电极板：

一偏压射频电力供应器，电气连接至该下电极板，且提供一偏压射频电力至该下电极板，以在该处理室内产生等离子而得以蚀刻该基板；以及

一脉冲模块，电气连接至该偏压射频电力供应器，以控制该偏压射频电力供应器，而在等离子蚀刻工艺中间断地提供该偏压射频电力。

11.根据权利要求10所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，该气体源包含一蚀刻气体源及一沉积气体源，且该处理气体包含一蚀刻气体及一沉积气体。

12.根据权利要求10所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，还包括一下源射频电力源，电气连接至该下电极板，且在该等离子蚀刻工艺中提供一下源射频电力至该下电极板，其中该下源射频电力与该偏压射频电力同步提供。

13.根据权利要求10所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，该偏压射频电力被该脉冲模块控制成一脉冲电力，且在开与关之间交替切换，其中该偏压射频电力在开状态时提供，而该偏压射频电力在关状态时则被切断。

14.根据权利要求13所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，该开状态的持续时间为1至100微秒，且该关状态的持续时间为1至100微秒。

15.根据权利要求13所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，还包括一气体排放单元及一添加气体源，其皆连接至该处理室，其中，当该偏压射频电力切换至关状态时，该处理气体被该气体排放单元从该处理室被移除，且该添加气体源导入一添加气体至该处理室中。

16.根据权利要求15所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，该添加气体选自由氩、氦、氙、氮、氢及其混合物所组成的群。