[发明专利]一种蚀刻槽循环管路装置无效
| 申请号： | 201110265233.0 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446789A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻槽循环管路装置。本发明所提出的蚀刻槽循环管路装置包括蚀刻槽内槽，蚀刻槽外槽，泵，加热器和过滤器，蚀刻槽外槽底部管路与泵相连接后，依次通过加热器，并联两只以上过滤器，再连接蚀刻槽内槽，形成循环管路。本发明提出的蚀刻槽循环管路装置，通过对酸槽循环管路的改造，增加过滤器，使整个管路可以承受更大的压力，整体酸液的流速会增加到原来的2～3倍，并且酸槽内部酸液的流速会相对更均匀，有效增加酸液的流速，减少残留物缺陷的产生，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 循环 管路 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻槽循环管路装置，其包括蚀刻槽内槽，蚀刻槽外槽，泵，加热器和过滤器，蚀刻槽外槽底部管路与泵相连接后，依次连接加热器和过滤器，再连接蚀刻槽内槽，形成循环管路，其特征在于，所述过滤器数量为2只以上，以并联方式连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110265233.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有旋转连接机构的扬声器
- 下一篇：涂覆辊
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
