[发明专利]一种蚀刻槽循环管路装置无效
| 申请号： | 201110265233.0 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446789A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 循环 管路 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻槽循环管路装置，其包括蚀刻槽内槽，蚀刻槽外槽，泵，加热器和过滤器，蚀刻槽外槽底部管路与泵相连接后，依次连接加热器和过滤器，再连接蚀刻槽内槽，形成循环管路，其特征在于，所述过滤器数量为2只以上，以并联方式连接。
2.如权利要求1所述的一种蚀刻槽循环管路装置，其特征在于，所述2只以上过滤器并联，再合并成一支管路与所述蚀刻槽内槽底部连接。
3.如权利要求1所述的一种蚀刻槽循环管路装置，其特征在于，所述2只以上过滤器并联，不同过滤器分别与蚀刻槽内槽的底部、中部和上部管路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
