[发明专利]硅基有机发光微显示像素单元版图结构有效
申请号: | 201110254664.7 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102280448A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;赵毅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了硅基有机发光微显示像素单元版图结构,所述像素单元包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,所述像素单元具有衬底,存储电容位于像素单元的左上方,衬底位于存储电容的右侧,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管位于存储电容和衬底下方。本发明通过两层金属线分别在横竖方向布置合适的信号线,从而使整个像素阵列能很好的配合行列扫描电路以及满足数据信号电压的输入,结构紧凑,能满足微显示对像素单位大小的要求,并且易于像素阵列的形成。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 像素 单元 版图 结构 | ||
【主权项】:
硅基有机发光微显示像素单元版图结构,所述像素单元包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,所述像素单元具有衬底,其特征在于, 所述存储电容位于所述像素单元的左上方,衬底位于存储电容的右侧,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管位于存储电容和衬底下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的