[发明专利]硅基有机发光微显示像素单元版图结构

说明书

技术领域

 本发明涉及硅基有机发光（Organic Light-Emitting Diode on Silicon，OLEDoS）微显示像素单元，尤其涉及硅基有机发光微显示像素单元版图结构。

背景技术

硅基有机发光是一种新兴的微型显示技术，它是单晶硅CMOS集成技术与OLED显示技术有机的结合，兼具两者的技术优势，因此它是极具发展前途的新型平板显示技术。与目前占主导地位的液晶显示相比，OLED显示具有超薄、超轻、宽视角、快速响应、高对比度、像素自身发光、可弯曲等优点。

    目前硅基有机发光微显示的主要有投影显示和虚拟显示，这种微显示器对角线尺寸一般小于1英寸（2.54cm），而在分辨率方面，美国eMagin公司于2008年11月已经研制出了SXGA分辨率彩色与单色的OLEDoS微显示器。由于分辨率越高，在相同的显示面积下就需要将像素点做得越小，因此需要合理布局OLEDoS像素单元电路版图。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了硅基有机发光微显示像素单元版图结构。

本发明提供了硅基有机发光微显示像素单元版图结构，所述像素单元包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，所述像素单元具有衬底， 所述存储电容位于所述像素单元的左上方，衬底位于存储电容的右侧，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管位于存储电容和衬底下方。

在一个示例中，所述存储电容纵向设置；所述第三晶体管横向设置于像素单元的右下方，所述第一晶体管、第四晶体管和第五晶体管横向设置于所述第三晶体管左侧；所述第二晶体管纵向设置于所述第三晶体管左侧；

所述第一晶体管和第二晶体管共用漏极，所述第一晶体管和第四晶体管共用源极，所述第五晶体管和第四晶体管共用漏极；

所述第五晶体管、第四晶体管和第一晶体管从左至右依次设置于同一水平线上；

所述第二晶体管设置于所述第一晶体管上方。

在一个示例中，所述像素单元具有控制存储电容变化信号布线、保持信号布线、采样信号布线、第一层金属线、第二层金属线和第三层金属线，若干所述像素单元形成硅基有机发光器件；所述硅基有机发光器件的阳极输入端位于第五晶体管、第四晶体管和第一晶体管下方，并通过第三层金属线连接到硅基有机发光器件阳极；

控制存储电容变化信号布线、保持信号布线以及采样信号布线由上至下设置，并分别与存储电容和衬底部分重叠；控制存储电容变化信号布线、保持信号布线以及采样信号布线由第二层金属线形成；

控制存储电容变化信号布线通过第一通孔与存储电容的上端连接； 保持信号布线依次通过第二通孔、第二层金属线、第一通孔、第一层金属线和接触孔与第四晶体管的栅极连接；采样信号布线依次通过第一通孔、第一层金属线和接触孔与第一晶体管和第二晶体管的栅极相连接；

第一晶体管和第四晶体管的源极通过第一层金属线和第三晶体管的漏极连接，第五晶体管的栅极通过接触孔与第五晶体管的漏极连接，第五晶体管的漏极和栅极通过第一层金属线和第四晶体管的漏极连接。

在一个示例中，所述像素单元具有接地信号布线、像素电压输入信号布线以及电源电压信号布线；

接地信号布线、像素电压输入信号布线以及电源电压信号布线从左至右依次竖向设置，接地信号布线、像素电压输入信号布线以及电源电压信号布线由第三层金属线形成；接地信号布线、像素电压输入信号布线以及电源电压信号布线均与存储电容部分重叠；接地信号布线依次通过第二通孔、第二层金属线以及第一通孔与第五晶体管的源极相连接，像素电压输入信号布线依次通过第二通孔、第二层金属线和第一通孔与第一晶体管和第二晶体管的漏极相连接；电源电压信号布线依次通过第二通孔、第二层金属线和第一通孔与第三晶体管的源极相连接；衬底通过第一层金属线与第三晶体管的源极相连接；第二晶体管的源极通过第一层金属线与存储电容下端相连，并且第二晶体管的源极通过第一层金属线、接触孔与第三晶体管的栅极相连。

在一个示例中，所述像素单元右侧具有与相邻像素单元重叠部分。

在一个示例中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管均为PMOS晶体管。

在一个示例中，所述像素单元的尺寸为15微米×15微米。