[发明专利]半导体装置及其数据存取方法无效
| 申请号： | 201110254533.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102436406A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 畦崎勉;大河原一树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 周春燕;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其数据存取方法。根据一实施方式，一种半导体装置包括：NAND型闪存、纠错部以及表。NAND型闪存作为主存储器而起作用，能够保存数据。纠错部对与所述数据有关的错误进行检测、纠正。表按每一所述数据，具有与所使用的纠错方式有关的信息。纠错部根据所述表内的所述信息，对每一所述数据选择所应用的纠错方式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 数据 存取 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：NAND型闪存，其能够保存数据；纠错部，其对与所述数据有关的错误进行检测、纠正；以及表，其按每一所述数据具有与所使用的纠错方式有关的信息；其中，所述纠错部根据所述表内的所述信息，对每一所述数据选择所应用的纠错方式。
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