[发明专利]一种封装基板制造方法及封装基板

摘要

本发明公开一种封装基板制造方法及封装基板。一种封装基板制造方法，包括：在芯片放置区和引脚表面上形成覆盖层；在覆盖层之外的第一层介质层上形成覆盖第一层导电层的第二层介质层；在第二层介质层上形成第二层导电层，第二层导电层上包括第二层引脚及第二层导电图案；循环执行上述过程；去除覆盖层，以形成多阶台阶槽。应用上述技术方案，本体层表面上形成多层导电层和覆盖层，将覆盖层去除后，本体层表面上的多层导电层形成多阶台阶，每个台阶上具有引脚。相对于控深铣槽技术来说，多层导电层和覆盖层形成方式，以及覆盖层去除方式，降低加工难度，提高台阶的加工精度。同时，本体层上形成多层引脚，进一步提高引脚密度，实现高密度封装。

主权项

一种封装基板制造方法，其特征在于，包括：提供本体层，所述本体层表面上形成有第一层介质层，所述第一层介质层上具有第一层导电层和芯片放置区，所述第一层导电层包括分布于所述芯片放置区四周的引脚及导电图案；进入台阶形成过程，所述台阶形成过程包括：在所述芯片放置区和所述引脚表面上形成覆盖层；在所述覆盖层之外的所述第一层介质层表面上形成覆盖所述第一层导电层的第二层介质层；在所述第二层介质层上形成第二层导电层，所述第二层导电层包括分布于所述芯片放置区的第二层引脚及第二层导电图案；循环执行所述台阶形成过程，在循环执行所述台阶形成过程时，将上一次台阶形成过程中形成的所述覆盖层作为本次台阶执行过程中的所述芯片放置区，以形成第i层介质层和第i层导电层，所述第i层导电层包括分布于所述芯片放置区的第i层引脚及第i层导电图案；结束循环执行所述台阶形成过程，去除所述覆盖层，以形成多阶台阶槽。