[发明专利]一种封装基板制造方法及封装基板有效
| 申请号: | 201110252577.8 | 申请日: | 2011-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN102299081A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
| 发明(设计)人: | 谷新;丁鲲鹏;彭勤卫;孔令文 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H05K3/30;H05K3/46;H05K1/02 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 彭愿洁;李文红 |
| 地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 制造 方法 | ||
1.一种封装基板制造方法,其特征在于,包括:
提供本体层,所述本体层表面上形成有第一层介质层,所述第一层介质层上具有第一层导电层和芯片放置区,所述第一层导电层包括分布于所述芯片放置区四周的引脚及导电图案;进入台阶形成过程,所述台阶形成过程包括:
在所述芯片放置区和所述引脚表面上形成覆盖层;
在所述覆盖层之外的所述第一层介质层表面上形成覆盖所述第一层导电层的第二层介质层;
在所述第二层介质层上形成第二层导电层,所述第二层导电层包括分布于所述芯片放置区的第二层引脚及第二层导电图案;
循环执行所述台阶形成过程,在循环执行所述台阶形成过程时,将上一次台阶形成过程中形成的所述覆盖层作为本次台阶执行过程中的所述芯片放置区,以形成第i层介质层和第i层导电层,所述第i层导电层包括分布于所述芯片放置区的第i层引脚及第i层导电图案;
结束循环执行所述台阶形成过程,去除所述覆盖层,以形成多阶台阶槽。
2.根据权利要求1所述的封装基板制造方法,其特征在于,在所述第二层介质层上形成第二层导电层包括:
在所述第二层介质层表面内形成第一缺口;
在具有所述第一缺口的所述第二层介质层以及所述覆盖层上形成种子层,所述种子层同时覆盖所述第一缺口的侧壁;
在所述种子层上形成第一覆盖层,在所述第一覆盖层表面内形成第二缺口;
电镀填充所述第一缺口和所述第二缺口;
去除所述第一覆盖层和所述种子层,形成所述第二层导电层。
3.根据权利要求2所述的封装基板制造方法,其特征在于,在具有所述第一缺口的所述第二层介质层以及所述覆盖层上形成种子层的过程包括:在具有所述第一缺口的所述第二层介质层以及所述覆盖层表面上通过化学镀铜或者物理溅射方式形成所述种子层。
4.根据权利要求1所述的封装基板制造方法,其特征在于,在所述覆盖层之外的所述第一层介质层表面上形成覆盖所述第一层导电层的第二层介质层的过程包括:
将环氧树脂或者双马来酰亚胺-三嗪树脂通过丝网印刷方式涂覆在所述第一层介质层表面,或者将所述环氧树脂或所述双马来酰亚胺-三嗪树脂的半固化片通过层压方式压合在所述第一层介质层表面;
对所述环氧树脂或所述双马来酰亚胺-三嗪树脂进行热固化,将所述环氧树脂或所述双马来酰亚胺-三嗪树脂与所述第一层介质层紧密粘接形成第二层介质层。
5.根据权利要求1所述的封装基板制造方法,其特征在于,在所述覆盖层之外的所述第一层介质层表面上形成覆盖所述第一层导电层的第二层介质层之后还包括:通过研磨方式将所述第二层介质层的厚度研磨至与所述覆盖层相同的厚度。
6.根据权利要求1所述的封装基板制造方法,其特征在于,在所述芯片放置区和所述引脚表面上形成覆盖层的过程包括:
将感光膜粘贴于所述第一层介质层表面上,并对所述感光膜进行曝光和显影形成覆盖所述芯片放置区和所述引脚的覆盖层。
7.根据权利要求6所述的封装基板制造方法,其特征在于,所述将感光膜粘贴于所述第一层介质层表面上具体操作为:固态感光膜直接粘贴于所述第一层介质层表面;或者液态感光膜通过印刷或喷涂的方式涂敷于所述第一层介质层表面上,并通过加热硬固化方式将液态感光膜固化在所述第一层介质层表面上。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的封装基板制造方法,其特征在于,提供本体层,所述本体层表面上形成有第一层介质层,所述第一层介质层上具有第一层导电层和芯片放置区,所述第一层导电层包括分布于所述芯片放置区四周的引脚及导电图案的过程包括:
将一体成型结构的金属基片作为所述本体层;
在所述金属基片表面上形成所述第一层介质层;
在所述第一层介质层表面上形成所述种子层;
将所述种子层蚀刻成所述第一层导电层和芯片放置区,所述第一层导电层包括分布于所述芯片放置区四周的引脚和所述导电图案。
9.根据权利要求1至7任意一项所述的封装基板制造方法,其特征在于,所述本体层的上下表面均具有所述第一层介质层,且所述第一层介质层上均具有所述第一层导电层和所述芯片放置区。
10.一种封装基板,其特征在于,包括:本体层,所述本体层表面上形成有介质层,所述介质层具有芯片放置区和位于所述芯片放置区四周的多层导电层,每层导电层包括分布于所述芯片放置区四周的引脚和导电图案,且相邻两层导电层之间形成台阶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深南电路有限公司,未经深南电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110252577.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





