[发明专利]一种浅槽隔离结构及制作方法

摘要

一种制作浅槽隔离结构及制作方法，本发明所制作的浅槽隔离结构经过了二次刻蚀、二次填充和二次抛光形成的，所形成的STI结构并不像现有技术那样是长方体结构或倒梯形结构，而是中间宽，上下窄的立体结构，这样，即使在制作n阱或p阱时掩膜偏移而造成的n阱和p阱在STI结构两边不对称，由于STI结构的中间宽部分的存在，也不会造成p阱和n阱中的有源区连通，或者不会造成n阱和p阱中的有源区连通。STI结构的上方区域制作保证了所制作的STI结构在半导体衬底中，不高于半导体衬底，因此，本发明提供的方法及STI结构保证了在后续制作n阱或p阱时掩膜偏移的情况下完全隔离p阱和n阱中的有源区，或者完全隔离n阱和p阱中的有源区。因此，本发明提供的方法及STI结构保证了完全隔离半导体衬底的有源区。

主权项

一种浅槽隔离的制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一氮化硅层；采用光刻和刻蚀工艺依次刻蚀第一氮化硅层及第一氧化层，形成第一沟槽；沉积第二氧化硅层，以第一氮化硅层为刻蚀停止层，干法刻蚀后，在半导体衬底上形成第二沟槽；继续采用干法刻蚀，在半导体衬底的n阱和p阱之间形成与第二沟槽同宽的第三沟槽；在第三沟槽中填充氧化硅，在半导体衬底上形成T型的隔离结构；湿法清洗掉第一氮化硅层和第一氧化层后，进行半导体衬底的外延生长，得到外延层；在具有外延层的半导体衬底沉积第二氧化层及第二氮化层后，在第二氮化硅层上沉积第三氧化硅层后，抛光至第二氮化硅层，形成STI结构的上方区域；去除第二氮化层及第二氧化层，形成了STI结构。