[发明专利]一种浅槽隔离结构及制作方法

权利要求书

1.一种浅槽隔离的制作方法，该方法包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一氮化硅层；

采用光刻和刻蚀工艺依次刻蚀第一氮化硅层及第一氧化层，形成第一沟槽；

沉积第二氧化硅层，以第一氮化硅层为刻蚀停止层，干法刻蚀后，在半导体衬底上形成第二沟槽；

继续采用干法刻蚀，在半导体衬底的n阱和p阱之间形成与第二沟槽同宽的第三沟槽；

在第三沟槽中填充氧化硅，在半导体衬底上形成T型的隔离结构；

湿法清洗掉第一氮化硅层和第一氧化层后，进行半导体衬底的外延生长，得到外延层；

在具有外延层的半导体衬底沉积第二氧化层及第二氮化层后，在第二氮化硅层上沉积第三氧化硅层后，抛光至第二氮化硅层，形成STI结构的上方区域；

去除第二氮化层及第二氧化层，形成了STI结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用光刻和刻蚀工艺依次刻蚀第一氮化硅层及第一氧化层的过程为：

在第一氮化硅层上涂覆光刻胶层后，采用宽度大于T型的隔离结构中的“1”部分宽度图案的图案曝光并显影光刻胶层，在光刻胶层形成宽度大于T型的隔离结构中的“1”部分宽度图案的图案，然后以具有该图案的光刻胶层为掩膜，对第一氮化硅层及第一氧化层干法离子刻蚀，在第一氮化硅层及第一氧化层中形成宽度大于T型的隔离结构中的“1”部分宽度图案的第一沟槽。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述宽度大于量不小于后续沉积第二氧化层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光为用化学机械平坦化CMP方法。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述T型的隔离结构中的“1”部分为倒梯形结构。

6.如权利要求1～5任意一项所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

在所述STI结构的两边，分别制作n阱和p阱；

在n阱和p阱中，分别制作有源区。

7.一种浅槽隔离结构，包括：在半导体衬底中的n阱和p阱之间具有：T型结构区域和上方区域结构，其中，

T型结构区域位于上方区域结构下方，由氧化硅构成，上方区域结构由三层构成，三层为底层氧化层、氮化硅层及顶层氧化硅层构成，宽度小于T型结构区域的“一”部份宽度。

8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述T型结构区域的”1”部分为倒梯形结构。