[发明专利]耗尽型MOS晶体管以及充电布置有效
| 申请号： | 201110248137.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102386232A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;J.韦耶斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及耗尽型MOS晶体管以及充电布置。一种耗尽型晶体管包括：第一导电类型的源极区和漏极区；第一导电类型的沟道区，被布置在源极区与漏极区之间；以及第一栅极电极，被布置成邻近沟道区并且通过栅极电介质与沟道区介电绝缘。所述耗尽型晶体管还包括第二导电类型的第一放电区，其被布置成邻近栅极电介质并且电耦合到参考电势的端子。所述耗尽型晶体管可以被包括在充电电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 mos 晶体管 以及 充电 布置 | ||
【主权项】：
一种耗尽型晶体管，包括：第一导电类型的源极区和漏极区；布置在源极区与漏极区之间的第一导电类型的沟道区；第一栅极电极，被布置成邻近沟道区并且通过栅极电介质与沟道区介电绝缘；以及第二导电类型的第一放电区，被布置成邻近栅极电介质并且电耦合到参考电势的端子。
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