[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110246794.6 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956459A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；形成界面层，以至少覆盖所述栅极的上表面，以保护所述栅极的上表面不被氧化；以及在所述界面层上形成第二层间电介质层。根据本发明，可以保护金属栅极在层间电介质(例如，氧化物)的沉积工艺中不被氧化；可以保护金属栅极在接触孔(contact hole)蚀刻工艺过程中的抗蚀剂灰化(或含氧干法蚀刻)中不被氧化；和/或可以降低接触件的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；在所述衬底上形成界面层，以至少覆盖所述栅极的上表面，以保护所述栅极的上表面不被氧化；以及在所述界面层上形成第二层间电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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