[发明专利]具有增强锚的微结构有效
| 申请号： | 201110243547.0 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102408090A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 林宗贤;朱家骅;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物层被蚀刻，从而形成沟槽以在器件层中创建锚和微结构器件。在制造器件的工艺中，沿着微结构器件的侧面形成热氧化物层，以在埋入氧化物层、顶部氧化物层和热氧化物层中包围微结构器件。然后，形成多晶硅层以填充到沟槽中并包围锚。在多晶硅层填充到沟槽中之后，蚀刻掉包围微结构器件的氧化物层，释放微结构器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 微结构 | ||
【主权项】：
一种制造微结构器件的方法，所述方法包括：提供分层晶片，其中，所述晶片包括硅基板层、位于所述基板层上的埋入氧化物层、以及位于所述埋入氧化物层上的硅器件层；在所述器件层上形成顶部氧化物层；蚀刻所述顶部氧化物层、所述器件层和所述埋入氧化物层，从而形成沟槽以在所述器件层中形成锚和微结构器件；沿着所述微结构器件的侧面形成热氧化物层，以在所述埋入氧化物层、所述顶部氧化物层和所述热氧化物层中包围所述微结构器件；形成多晶硅层以填充到所述沟槽中并包围所述锚；以及蚀刻掉包围所述微结构器件的氧化物层。
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