[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110243246.8 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102629575A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王丹;邵喜斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，该方法包括：在栅绝缘层上制作出图形化的有源层，所述有源层覆盖部分栅绝缘层；利用S/D层上的绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，在有源层和栅绝缘层上，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，所述S/D层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间形成沟道。本发明可以有效防止FFS原有阵列制作过程中，因为应用了Half-tone技术所造成的对Pixel电学性质及BM设计的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：在栅绝缘层上制作出图形化的有源层，所述有源层覆盖部分栅绝缘层；利用S/D层上的绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，在有源层和栅绝缘层上，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，所述S/D层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间形成沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
