[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在栅绝缘层上制作出图形化的有源层，所述有源层覆盖部分栅绝缘层；

利用S/D层上的绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，在有源层和栅绝缘层上，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，所述S/D层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间形成沟道。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，具体包括：

依次涂覆未经刻蚀的S/D层和绝缘层；

经在S/D层上贴膜、曝光、刻蚀和显影，应用半掩膜工艺，将绝缘层图形化，露出S/D层上沟道部位及绝缘层上的过孔部位；

利用绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，将S/D层图形化，形成源极和漏极之间的沟道；

对绝缘层进行刻蚀，在绝缘层的过孔部位形成过孔。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源层包括沉积物为富氮非晶硅N+a-Si的N+a-Si层及沉积物为非晶硅a-Si的a-Si层，

对绝缘层进行刻蚀的同时，还对沟道间露出的N+a-Si层进行刻蚀，在沟道间露出a-Si层。

4.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，在制作有源层之前，还包括：

在基板上制作出公共电极；

在基板上制作出栅极；

制作覆盖栅极和公共电极的栅绝缘层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述图形化的有源层位于栅绝缘层上与栅极顶部相对的位置。

6.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，还包括：

制作出经过孔与所述漏极连接的像素电极。

7.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述沟道间及绝缘层上沟道的两侧，制作绝缘的保护层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在栅绝缘层上制作出图形化的有源层，具体包括：

在栅绝缘层上涂覆未经刻蚀的有源层；

经在有源层上贴膜、曝光、刻蚀和显影，形成图形化的有源层。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板及分别位于基板上的栅极和公共电极；

覆盖所述栅极和公共电极的栅绝缘层；

位于栅绝缘层上与栅极顶部相对的位置的有源层；

利用S/D层上的绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，在有源层和栅绝缘层上，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，所述S/D层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间形成沟道；

与漏极连接的像素电极，像素电极分布在阵列基板的显示区域。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

保护层，位于所述沟道间及绝缘层上沟道的两侧。