[发明专利]基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器有效
| 申请号： | 201110242658.X | 申请日： | 2011-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102457018A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器，在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸，即不需要是自成像距离的整数倍，而可以是自成像距离整数倍的1/n（n为整数）。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 干涉 结构 功率 纵横 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种高功率、单纵横模半导体激光器，其波导层包括单模和多模波导层；多模波导层中含有有源多模干涉区域，即多模有源层；其特征在于，多模干涉区域的侧面制备高反射面。
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- 一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器及制作方法-201410117762.X
- 姚辰;曹俊诚 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2014-03-26 - 2016-10-19 - H01S5/20
- 本发明涉及一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器，包括多模干涉波导结构，所述多模干涉波导结构从垂直方向自下而上依次为半绝缘衬底、缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、上金属层；所述有源区、上接触层和上金属层在下接触层上形成脊型结构；所述脊型结构两侧设有下金属层；所述上金属层通过湿法刻蚀形成多模波导和输出波导；所述输出波导为单模波导，并位于多模波导两端中心处；所述输出波导的宽度小于所述多模波导的宽度。本发明还涉及THz QCL制作方法。上述本发明能够提高THz QCL出光功率而又不降低出光光束质量和收集效率，保持器件小型化并降低成本。
- 表面等离子激元纳米激光器的增益波导结构-201620268264.X
- 李芳;魏来 - 武汉工程大学
- 2016-03-31 - 2016-10-12 - H01S5/20
- 本实用新型公开了一种表面等离子激元纳米激光器的增益波导结构，该增益波导结构包括增益介质腔体、绝缘介质层、金属层和基底层；增益介质腔体、绝缘介质层和金属层均置于所述基底层的裸露表面上；所述增益介质腔体置于所述基底层表面的中部，所述增益介质腔体的两侧依次为所述绝缘介质层和所述金属层。本实用新型在一定程度降低了激光器的阈值和损耗，并且解决了制备时增益介质腔体与金属层之间的介质层与两者的接触问题，使制备更加容易。
- 一种半导体激光器及其制备方法-201610090105.X
- 张新;朱振;徐现刚 - 山东华光光电子股份有限公司
- 2016-02-18 - 2016-04-27 - H01S5/20
- 本发明涉及一种半导体激光器及其制备方法，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层、接触层，所述接触层上设有下凹的图形。原有接触层上表面平滑，本发明接触层上设有下凹的图形，接触层上表面面积大于原有接触层的上表面平面面积，增加了接触层的散热面积，使得接触电阻较小并且电压稳定，提高了可靠性。
- 激光器的多层平面波导结构及多波长有机激光器的制备方法-201510659842.2
- 郭坤平;李炜玲;魏梦杰;王桃红;陈长博;魏斌 - 上海大学
- 2015-10-14 - 2016-01-06 - H01S5/20
- 本发明公开了一种激光器的多层平面波导结构及多波长有机激光器的制备方法，由至少两个平板波导结构单元级联组成多层平面波导结构，在相邻的两层平板波导结构单元之间设置中间调制层，中间调制层通过调制低折射率的超厚透明层和高反射率的超薄金属层形成，中间调制层与相邻设置的激光染料层形成平板波导单元。本发明将高反射率金属层调制层的引入可以将自发辐射光放大限制在染料活性层中，通过在染料活性层和金属调制层中加入低折射率透明层可以降低荧光淬灭，并将泵浦能量集中在光波导里。为了获得多波段高增益的自发辐射光放大，本发明中间调制层的加入能够将ASE限制在一个染料活性层中，在光泵浦的激励下，我们最终获得了多波段低阈值激光。
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