[发明专利]多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法在审
| 申请号： | 201710243187.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106921112A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 戴兴;李梦珂;李雅博;李召松;周旭亮;于红艳;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/40;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器集成光源包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底，n条波导通道，设置在所述硅基衬底上，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数，多模干涉耦合器，设置在所述硅基衬底上，以及弯曲波导组，连接至少一条波导通道及多模干涉耦合器。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 混合 集成 slot 激光器 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源，包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括：硅基衬底，n条波导通道，设置在所述硅基衬底上，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数，多模干涉耦合器，设置在所述硅基衬底上，以及弯曲波导组，连接至少一条波导通道及多模干涉耦合器。
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