[发明专利]具有内置自测的DRAM存储器控制器及其方法无效
申请号: | 201110242081.2 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102385560A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | R·古普塔;C-C·叶 | 申请(专利权)人: | VIXS系统公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F11/22 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本发明涉及具有内置自测的DRAM存储器控制器及其方法。使集成电路经由存储器接口与至少一个动态随机存取存储器(DRAM)接口。接收多个用户测试选项。按照所述多个用户测试选项控制所述存储器接口的测试。存储作为所述存储器接口的测试结果而产生的测试数据。 | ||
搜索关键词: | 具有 内置 自测 dram 存储器 控制器 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:存储器接口,用于使所述集成电路与至少一个动态随机存取存储器(DRAM)接口;处理模块,用于执行至少一个应用;耦接到所述处理模块和所述存储器接口的DRAM控制器,用于结合所述应用控制对所述至少一个动态随机存取存储器的存取;以及耦接到所述DRAM控制器的DRAM内置自测(DBIST)单元,用于测试所述存储器接口,所述DBIST单元包括:输入寄存器,用于接收多个用户测试选项;耦接到所述输入寄存器的控制器,用于按照所述多个用户测试选项控制所述存储器接口的测试;以及耦接到所述控制器的输出寄存器,用于存储作为所述存储器接口的测试结果而产生的测试数据。
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