[发明专利]一种预防刻蚀阻挡层开裂的结构及形成该结构的方法无效
| 申请号： | 201110235258.6 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102446918A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预防刻蚀阻挡层开裂的结构，包括：一设置有栅极的半导体基底，所述栅极侧壁及邻近栅极的部分半导体基底上覆盖有侧墙；一由STI工艺形成的沟槽设置于该半导体基底中，所述沟槽内设有填充物；一二氧化硅缓冲层覆盖于半导体基底、侧墙及栅极上；以及一层氮化硅通孔刻蚀阻挡层覆盖于二氧化硅缓冲层上。本发明利用由SACVD制备的二氧化硅具有一定的拉应力和相对应氮化硅较软的特性，在高拉应力刻蚀阻挡层与半导体器件之间增加一层SACVD制程的二氧化硅作为缓冲层，有效降低刻蚀阻挡层中存在局部高拉应力而开裂的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预防 刻蚀 阻挡 开裂 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种预防刻蚀阻挡层开裂的结构，其特征在于，包括： 一设置有栅极的半导体基底，所述栅极侧壁及邻近栅极的部分半导体基底上覆盖有侧墙；一由STI工艺形成的沟槽设置于该半导体基底中，所述沟槽内设有填充物；一二氧化硅缓冲层覆盖于半导体基底、侧墙及栅极上；以及一层氮化硅通孔刻蚀阻挡层覆盖于二氧化硅缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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