[发明专利]一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法无效
| 申请号： | 201110233596.6 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102419337A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 上海华碧检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法，包括以下步骤：A、按体积比HF∶HNO3∶冰醋酸＝1∶2∶10比例进行MOSFET器件的源极、漏极、LDD等结构的染色液配制；B、将待测MOSFET器件浸泡入染色液中5秒钟后取出；C、使用场发射扫描电子显微镜进行截面观察MOSFET器件的源极、漏极、LDD等掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜扫描的照片，并测量相关掺杂结构的结深；D、作是否采用了LDD结构的定性判断。本发明通过使用该种染色液配方，使得对同种MOSFET器件的源、漏、LDD等掺杂结构结深确认，变得简单、快速、经济，并快速作出对MOSFET器件是否采用了LDD结构的定性判断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 ldd 结构 定性分析 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：A、按体积比HF∶HNO3∶冰醋酸＝1∶2∶10比例进行MOSFET器件的源极、漏极、LDD等结构的染色液配制；B、将待测MOSFET器件浸泡入染色液中5秒钟后取出；C、使用场发射扫描电子显微镜进行截面观察MOSFET器件的源极、漏极、LDD等掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜扫描的照片，并测量相关掺杂结构的结深；D、作该待测MOSFET器件是否采用了LDD结构的定性判断。
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