[发明专利]嵌入BCD工艺的EEPROM核结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110231902.2 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102263110A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/04;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种嵌入BCD工艺的EEPROM核结构及其形成方法，所述BCD工艺的EEPROM核结构包括相串联的选择管和存储管，所述选择管为LDNMOS晶体管。本发明可以将EEPROM核结构的形成过程嵌入BCD工艺中，有利于降低工艺的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 bcd 工艺 eeprom 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入BCD工艺的EEPROM核结构，包括相串联的选择管和存储管，其特征在于，所述选择管为LDNMOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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