[发明专利]照射式图像传感器的滤光片及其制造方法在审
| 申请号： | 201110227399.3 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468311A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈浩民;陆震伟;张志光 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种照射式图像传感器的滤光片及其制造方法，上述照射式图像传感器的滤光片包括一遮光部分，由格状光致抗蚀剂图案构成，其中上述遮光部分覆盖一照射式图像传感器芯片的一周围区域。本发明的滤光片可具有一遮光部分，其由多个格状光致抗蚀剂图案构成。并且，格状光致抗蚀剂图案可由其间具有空隙的红色/蓝色/绿色格状光致抗蚀剂图案构成，以进一步改善照射式图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 图像传感器 滤光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种照射式图像传感器的滤光片，包括：一遮光部分，由格状光致抗蚀剂图案构成，其中该遮光部分覆盖一照射式图像传感器芯片的一周围区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
