[发明专利]照射式图像传感器的滤光片及其制造方法在审
申请号: | 201110227399.3 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN102468311A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 陈浩民;陆震伟;张志光 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 照射 图像传感器 滤光 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种照射式图像传感器的滤光片及其制造方法,尤其涉及一种照射式图像传感器的滤光片的遮光部分及其制造方法。
背景技术
图1为公知照射式图像传感器的滤光片102的俯视图。公知滤光片102包括一感测部分106和一遮光部分104。上述感测部分106由多个红色格状光致抗蚀剂图案102R、多个绿色格状光致抗蚀剂图案102G和多个蓝色格状光致抗蚀剂图案102B构成。公知滤光片102的遮光部分104通常由一铬层或一黑树脂层102M构成。然而,在公知滤光片的工艺中,因为感测部分106和遮光部分104的材质不同,所以会于两者之间产生一热应力问题。前述的热应力会降低照射式图像传感器的性能。
在此技术领域中,有需要一种照射式图像传感器的滤光片及其制造方法,以改善上述缺点。
发明内容
有鉴于此,为克服现有技术的缺陷,本发明一实施例提供一种照射式图像传感器的滤光片,包括一遮光部分,由格状光致抗蚀剂图案构成,其中上述遮光部分覆盖一照射式图像传感器芯片的一周围区域。
本发明另一实施例提供一种照射式图像传感器的滤光片的制造方法,包括形成格状光致抗蚀剂图案,覆盖一照射式图像传感器芯片的一周围区域。
本发明的滤光片可具有一遮光部分,其由多个格状光致抗蚀剂图案构成。并且,格状光致抗蚀剂图案可由其间具有空隙的红色/蓝色/绿色格状光致抗蚀剂图案构成,以进一步改善照射式图像传感器的性能。
附图说明
图1为公知照射式图像传感器的滤光片的俯视图;
图2为本发明一实施例的照射式图像传感器的滤光片的俯视图;
图3a至图3e为本发明一实施例的照射式图像传感器的滤光片的制造方法的工艺剖面图;
图4a为本发明另一实施例的照射式图像传感器的滤光片的俯视图;
图4b至图4c为图4a图的放大图,其显示本发明不同实施例的格状光致抗蚀剂图案;
图5a至图5d为公知照射式图像传感器的滤光片以及本发明不同实施例的照射式图像传感器的滤光片做成的测试样品;
图6a至图6c为图5a至图5d的公知照射式图像传感器的滤光片以及本发明不同实施例的照射式图像传感器的滤光片做成的测试样品的暗电流测试结果。
其中,附图标记说明如下:
102、202、502a、502b、502c、502d~滤光片;
102M~铬层/黑树脂层;
104、204、504a、504b、504c、504d~遮光部分;
106、206~感测部分;
200~照射式图像传感器芯片;
202a、202b、502~格状光致抗蚀剂图案;
202R、202R1、202R2~红色格状光致抗蚀剂图案;
202G、202G1、202G2~绿色格状光致抗蚀剂图案;
202B、202B1、202B2~蓝色格状光致抗蚀剂图案;
210~硅晶片;
212~光二极管;
214~金属层;
216~层间介电层;
217~内连线结构;
218~金属线;
220~背面;
222~正面;
224~微透镜;
250、508a、508b、508c、508d~区域;
300~载板;
304~周围区域;
306~感测区域;
500~照射式图像传感器;
602aa、602ba、602ca、602da、602ab、602bb、602cb、602db、602ac、602bc、602cc、602dc~数据点
d~间隙;
L~尺寸。
具体实施方式
以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例,作为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中,相似或相同的部分皆使用相同的符号。且在附图中,实施例的形状或是厚度可扩大,并以简化或是方便标示。再者,附图中各元件的部分将以分别描述说明的,值得注意的是,图中未示出或描述的元件,为所属技术领域中普通技术人员所知的形式,另外,特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式,其并非用以限定本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的