[发明专利]释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110223618.0 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102910572A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐乃涛 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其包括以下步骤：先采用SF6和C4F8交替刻蚀与保护的各向异性刻蚀工艺对设置有MEMS悬桥结构的圆片进行刻蚀，进而在圆片上得到若干独立的基本垂直的相邻沟槽；再采用SF6与O2混合的各向同性刻蚀工艺，将所述相邻沟槽连通，从而在圆片上获得MEMS悬桥结构的释放空间。本发明涉及的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，通过优化现有的刻蚀工艺与清洗工艺，实现对具有悬桥结构的MEMS器件的无沾污深硅刻蚀，大大提高MEMS器件的可靠性，降低失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 释放 mems 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：其包括以下步骤：先采用SF6和C4F8交替刻蚀与保护的各向异性刻蚀工艺对设置有MEMS悬桥结构的圆片进行刻蚀，进而在圆片上得到若干独立的基本垂直的相邻沟槽；再采用SF6与O2混合的各向同性刻蚀工艺，将所述相邻沟槽连通，从而在圆片上获得MEMS悬桥结构的释放空间。
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