[发明专利]释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110223618.0 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102910572A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐乃涛 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 释放 mems 结构 刻蚀 方法 | ||
1.一种释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：其包括以下步骤：
先采用SF6和C4F8交替刻蚀与保护的各向异性刻蚀工艺对设置有MEMS悬桥结构的圆片进行刻蚀，进而在圆片上得到若干独立的基本垂直的相邻沟槽；再采用SF6与O2混合的各向同性刻蚀工艺，将所述相邻沟槽连通，从而在圆片上获得MEMS悬桥结构的释放空间。
2.根据权利要求1所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述SF6与O2的流量比为8∶1～12∶1。
3.根据权利要求2所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述SF6与O2的流量比为10∶1。
4.根据权利要求1所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：其还包括有在刻蚀步骤之后进行的清洗步骤：
先用BOE和EG混合溶剂漂洗所述圆片；然后用表面活性剂清洗，再喷淋甩干；接着去除光刻胶；再次用BOE与EG漂洗，再用去离子水清洗。
5.根据权利要求4所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述用表面活性剂清洗的步骤中，先稀释表面活性剂，然后将圆片放在所述稀释好的表面活性剂溶液中上下漂洗，接着用去离子水对漂洗后的圆片喷淋清洗，再甩干。
6.根据权利要求5所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述稀释表面活性剂的步骤中，将表面活性剂稀释到200～500倍。
7.根据权利要求5所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述漂洗的步骤中，将圆片放在稀释好的表面活性剂中上下漂洗150～300秒。
8.根据权利要求4所述的释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：所述去除光刻胶的步骤中，采用O2等离子体去除光刻胶。
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