[发明专利]发光二极管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110221787.0 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102610722A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 谢鸿生 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。该发光二极管装置包含一绝缘基底，具有一上表面及一下表面；一图形化导电层，配置于该绝缘基底的部分上表面；一缓冲层，配置于该绝缘基底未被该图形化导电层所覆盖的上表面；一第一半导体层，配置于该缓冲层之上；一发光层，配置于该第一半导体层之上；一第二半导体层，配置于该发光层之上；以及，一电极，配置于该第二半导体层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包含：一绝缘基底，具有一上表面及一下表面；一图形化导电层，配置于该绝缘基底的部分上表面；一缓冲层，配置于该绝缘基底未被该图形化导电层所覆盖的上表面；一第一半导体层，配置于该缓冲层之上；一发光层，配置于该第一半导体层之上；一第二半导体层，配置于该发光层之上；以及一电极，配置于该第二半导体层之上。
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