[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含：

一绝缘基底，具有一上表面及一下表面；

一图形化导电层，配置于该绝缘基底的部分上表面；

一缓冲层，配置于该绝缘基底未被该图形化导电层所覆盖的上表面；

一第一半导体层，配置于该缓冲层之上；

一发光层，配置于该第一半导体层之上；

一第二半导体层，配置于该发光层之上；以及

一电极，配置于该第二半导体层之上。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该图形化导电层是进一步延伸以覆盖该绝缘基底的侧壁。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该配置于基板上表面的图形化导电层是占该基板上表面面积的10-50％。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该图形化导电层是配置于该基板上表面的周围。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该图形化导电层为格状、螺旋、圆环、指叉、或其结合的结构。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该缓冲层的厚度是大于或等于该图形化导电层。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该电极包含一透明电极、一金属电极、或其组合。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含：

一导线架，具有一第一电路及一第二电路，其中该绝缘基底配置于该导线架上，且该图形化导电层与该第一电路电性接触。

9.一种发光二极管装置制造方法，包含：

提供一绝缘基底，该绝缘基底具有一上表面及一下表面；

形成一图形化导电层于该绝缘基底的部分上表面；

形成一缓冲层于该绝缘基底未被该图形化导电层所覆盖的上表面；

形成一第一半导体层于该缓冲层之上；

形成一发光层于该第一半导体层之上；

形成一第二半导体层于该发光层之上；以及

形成一电极，配置于该第二半导体层之上。

10.如权利要求9所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，在形成该图形化导电层的步骤中，该图形化导电层是同时形成于该绝缘基底的侧壁。

11.如权利要求10所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，在形成该图形化导电层于该绝缘基底的部分上表面的步骤后，还包含：

形成一底导电层于该绝缘基底的部分下表面，并使该底导电层与该图形化导电层电性接触。

12.如权利要求9所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，该配置于基板上表面的图形化导电层是占该基板上表面面积的10-50％。

13.如权利要求9所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，在形成该缓冲层的步骤中，该缓冲层是坦覆性形成在该绝缘基底的上表面，并覆盖该图形化导电层。

14.如权利要求9所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，形成该电极的步骤包含：

形成一透明电极于该第二半导体层之上；以及

形成一金属电极于该透明电极之上。

15.如权利要求9所述的发光二极管装置制造方法，其特征在于，还包含：

提供一导线架，该导线架具有一第一电路及一第二电路；以及

将该绝缘基底固合于该导线架，使该图形化导电层与该第一电路电性接触。