[发明专利]连接孔的制作方法有效
| 申请号： | 201110221369.1 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102915951A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李艳;杨杰;杨兆宇;谢宝强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 制作方法 | ||
【主权项】：
一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；其特征在于：所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110221369.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
