[发明专利]生成III-N层的方法，和III-N层或III-N衬底，以及其上的器件有效
| 申请号： | 201110220763.3 | 申请日： | 2006-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102268737A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 费迪南·斯考兹;彼得·布克纳;弗兰克·哈伯尔;马提亚·彼得;克劳斯·柯勒 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司;欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长厚III-N层的外延生长方法，其中，III指元素周期表中第III族中的至少一种元素，厚III-N层被沉积在异质衬底上。外延生长方法优选用HVPE来实现。衬底也可以是包含异质衬底和至少一个薄III-N中间层的模板。通过使衬底具有有意选取的取向差和/或在外延生长处理过程的最后减小N/III比率和/或反应器压力，可以改善表面质量。本发明也公开了具有这种改善III-N层的衬底和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 iii 方法 衬底 及其 器件 | ||
【主权项】：
一种用于生成III‑N衬底的方法，其中，III表示元素周期表中第III族元素中的至少一种元素，所述方法包括步骤：在预定的N/III比率和预定的反应器压力下，通过外延生长在衬底上沉积厚度至少是40微米的III‑N层；其中，在接近III‑N层外延生长过程的最后阶段，N/III比率和/或反应器压力分别相对于预定N/III比率和/或预定反应器压力降低。
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