[发明专利]一种半导体器件制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制作方法。在半导体器件制作过程中，为了形成宽度更小的沟槽，本发明首先利用由多种单体构成的嵌段共聚物的自组装特征，形成各种单体的图案；然后在嵌段共聚物的表面沉积金属或金属氮化物，由于各种单体与金属或金属氮化物之间的化学亲和力的差异，金属或金属氮化物最初选择性地在一种单体的表面上沉积，金属或金属氮化物层达到一定厚度后开始横向生长，通过控制沉积时间，能够在金属或金属氮化物层开始横向生长且尚未完全覆盖嵌段共聚物表面之前停止沉积处理；最后，以金属或金属氮化物层为掩模进行刻蚀，得到宽度非常小的沟槽。

主权项

一种半导体器件制作方法，包括以下步骤：对由两种或更多种单体构成的嵌段共聚物涂层进行自组装处理，使得所述嵌段共聚物中的至少一种单体进行自组装，从而形成所述至少一种单体的图案；在所述嵌段共聚物表面沉积金属或金属氮化物涂层，直到所沉积的金属或金属氮化物涂层开始横向生长且尚未完全覆盖所述嵌段共聚物表面时为止；以沉积的金属或金属氮化物涂层作为掩模进行刻蚀，去除未被所述金属或金属氮化物涂层覆盖的嵌段共聚物，从而形成沟槽。