[发明专利]MEMS晶圆的切割方法有效
| 申请号： | 201110215784.6 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102897708A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 徐乃涛;刘金峰 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS晶圆的切割方法，其包括以下步骤：将膜贴在晶圆的正面保护MEMS结构；将激光聚焦于晶圆内部进行照射，自晶圆正面向晶圆内部的位置形成改质层，然后在晶圆背面与所述改质层相对应的位置进行激光照射，在晶圆背面形成标记槽；沿标记槽的位置在晶圆背面进行水刀切割且不切到底，自晶圆背面向晶圆内部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽远离晶圆背面的一端与改质层相连；和沿改质层进行裂片引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开。本发明涉及的MEMS晶圆切割方法，结合激光照射与水刀切割的优势，实现对MEMS晶圆的无崩边、低沾污切割。 | ||
| 搜索关键词： | mems 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：其包括以下步骤：将膜贴在晶圆的正面保护MEMS结构；将激光聚焦于晶圆内部进行照射，自晶圆正面向晶圆内部的位置形成改质层，然后在晶圆背面与所述改质层相对应的位置进行激光照射，在晶圆背面形成标记槽；沿标记槽的位置在晶圆背面进行水刀切割且不切到底，自晶圆背面向晶圆内部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽远离晶圆背面的一端与改质层相连；和沿改质层进行裂片引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开。
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