[发明专利]MEMS晶圆的切割方法

权利要求书

1.一种MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：其包括以下步骤：

将膜贴在晶圆的正面保护MEMS结构；

将激光聚焦于晶圆内部进行照射，自晶圆正面向晶圆内部的位置形成改质层，然后在晶圆背面与所述改质层相对应的位置进行激光照射，在晶圆背面形成标记槽；

沿标记槽的位置在晶圆背面进行水刀切割且不切到底，自晶圆背面向晶圆内部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽远离晶圆背面的一端与改质层相连；和

沿改质层进行裂片引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开。

2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述保护MEMS结构的步骤中，将设有孔的第一膜贴在晶圆正面，所述孔与MEMS结构一一对应，再将完整的第二膜贴在第一膜的上面。

3.根据权利要求2所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述孔的尺寸略大于MEMS结构，MEMS结构对应孔的正中间位置。

4.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述形成改质层的步骤中，先后将激光聚焦于晶圆内部进行两次激光照射，形成第一改质层和第二改质层，所述第一改质层和第二改质层相互分离。

5.根据权利要求4所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述第一改质层的深度为自晶圆正面向晶圆内部0～25μm，第二改质层的深度为自晶圆正面向晶圆内部35～60μm，第一改质层和第二改质层的宽度为20～25μm。

6.根据权利要求4所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述第一改质层和第二改质层相距0～10μm。

7.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述标记槽的深度为3～5μm。

8.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述水刀切割槽的宽度为15～40μm。

9.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述水刀切割的步骤之后，裂片引伸的步骤之前，还包括对晶圆背面用高压去离子水清洗并甩干。

10.根据权利要求1所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于：所述裂片引伸的步骤中，沿改质层进行裂片引伸，然后在晶圆背面贴膜，再将晶圆正面的膜揭掉，再次进行引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开。