[发明专利]具有漂移区域和补偿区域的半导体器件有效
| 申请号： | 201110206325.1 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102347364A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.莫德;J.韦耶斯;A.威尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有漂移区域和补偿区域的半导体器件。公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区域和第二掺杂类型的补偿区域的半导体器件的方法以及具有第一掺杂类型的漂移区域和第二掺杂类型的补偿区域的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漂移 区域 补偿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种形成具有第一掺杂类型的漂移区域和第二掺杂类型的补偿区域的半导体器件的方法，包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上形成层叠的多个层堆叠布置，每个层堆叠布置包括至少一个第二半导体层、具有第一掺杂类型的掺杂剂的多个第一掺杂剂区域和具有第二掺杂剂类型的掺杂剂的多个第二掺杂剂区域、以及至少一些相邻的第一和第二掺杂剂区域之间的夹层段，其中第一掺杂剂区域中的至少一些和第二掺杂剂区域中的至少一些交替且彼此间隔开布置，其中针对层堆叠布置中的每一个单独形成夹层段，其中两个相邻层堆叠布置的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域形成为使得第一掺杂剂区域中的至少一些在第一方向基本层叠布置且第二掺杂剂区域中的至少一些在第一方向基本层叠布置；以及扩散第一和第二掺杂剂区域的掺杂剂，使得由第一掺杂剂区域的掺杂剂形成漂移区域且使得由第二掺杂剂区域的掺杂剂形成补偿区域。
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