[发明专利]实现基于MiM的去耦电容器的缺陷避免技术

摘要

本发明涉及实现基于MiM的去耦电容器的缺陷避免技术。一种集成电路电源去耦电路包括电容器和保护电路。电容器具有第一端子和第二端子。保护电路包括具有第一导通路径的第一晶体管和具有第二导通路径的第二晶体管。第一导通路径的一个端子连接到电容器的第一端子，而第一导通路径的另一个端子连接到第一电源轨道。第二导通路径的一个端子连接到电容器的第二端子，而第二导通路径的另一个端子连接到第二电源轨道。

主权项

一种集成电路电源去耦电路，包括：具有第一端子和第二端子的电容器；以及保护电路，包括：具有第一导通路径的第一晶体管，所述第一导通路径的一个端子连接到所述第一端子，而所述第一导通路径的另一个端子连接到第一电源轨道；以及具有第二导通路径的第二晶体管，所述第二导通路径的一个端子连接到所述第二端子，而所述第二导通路径的另一个端子连接到不同的第二电源轨道。