[发明专利]发光二极管及其制造方法和包含其的液晶显示器无效
| 申请号： | 201110195764.7 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102332519A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 尹珉郕 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 发光二极管及其制造方法和包含其的液晶显示器，一种发光二极管，包括：在基板上且由金属材料制成的第一格栅层；在所述第一格栅层上的p-n半导体多层膜；和在所述p-n半导体多层膜上且由金属材料制成的第二格栅层，其中所述第一格栅层包括基底层、和从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线，其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，且其中所述p-n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 包含 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：在基板上的第一格栅层，所述第一格栅层由金属材料制成；在所述第一格栅层上的p‑n半导体多层膜；和在所述p‑n半导体多层膜上的第二格栅层，所述第二格栅层由金属材料制成，其中所述第一格栅层包括基底层、和从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线，其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，且其中所述p‑n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层。
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