[发明专利]发光二极管及其制造方法和包含其的液晶显示器

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

在基板上的第一格栅层，所述第一格栅层由金属材料制成；

在所述第一格栅层上的p-n半导体多层膜；和

在所述p-n半导体多层膜上的第二格栅层，所述第二格栅层由金属材料制成，

其中所述第一格栅层包括基底层、和从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线，

其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，且

其中所述p-n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层。

2.根据权利要求1所述的二极管，其中所述第一和第二方向成大约45±5度的夹角。

3.根据权利要求1所述的二极管，其中所述第二格栅线的间距为大约300纳米或更小。

4.根据权利要求1所述的二极管，其中所述第一和第二格栅层被供给驱动电压。

5.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：

在基板上形成第一格栅层，所述第一格栅层由金属材料制成；

在所述第一格栅层上形成p-n半导体多层膜；和

在所述p-n半导体多层膜上形成第二格栅层，所述第二格栅层由金属材料制成，

其中所述第一格栅层包括基底层、和从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线，

其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，且

其中所述p-n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一和第二方向成大约45±5度的夹角。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二格栅线的间距为大约300纳米或更小。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一和第二格栅层被供给驱动电压。

9.一种液晶显示器，包括：

液晶面板；

包括发光二极管并给所述液晶面板提供光的背光单元；和

在所述液晶面板与所述背光单元之间的偏振片，

其中所述发光二极管包括在基板上且由金属材料制成的第一格栅层、在所述第一格栅层上的p-n半导体多层膜、和在所述p-n半导体多层膜上且由金属材料制成的第二格栅层，

其中所述第一格栅层包括基底层、和从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线，

其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，

其中所述p-n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层，且

其中所述偏振片的偏振轴垂直于所述第二方向。

10.根据权利要求9所述的显示器，其中所述第一和第二方向成大约45±5度的夹角。

11.根据权利要求9所述的显示器，其中所述第二格栅线的间距为大约300纳米或更小。

12.根据权利要求9所述的显示器，其中所述第一和第二格栅层被供给驱动电压。

13.一种发光二极管，包括：

在基板上的第一格栅层，所述第一格栅层由金属材料制成；

在所述第一格栅层上的p-n半导体多层膜；和

在所述p-n半导体多层膜上的第二格栅层，所述第二格栅层由金属材料制成，

其中所述第一格栅层包括基底层、从所述基底层突出且沿第一方向的多条第一格栅线、以及从所述基底层突出且沿第三方向的多条第三格栅线，

其中所述第二格栅层包括沿第二方向的多条第二格栅线，且

其中所述p-n半导体多层膜包括有源层、在所述第一格栅层与所述有源层之间的n型半导体层、以及在所述第二格栅层与所述有源层之间的p型半导体层。

14.根据权利要求13所述的二极管，其中所述第一和第三方向彼此交叉，且所述第一和第三方向的每个都与所述第二方向成大约45±5度的夹角。

15.根据权利要求13所述的二极管，其中所述第二格栅线的间距为大约300纳米或更小。