[发明专利]包括沟槽内的特征件的电子器件

摘要

一种可以被图形化以限定沟槽和特征件的半导体衬底。在一个实施例中，能够形成沟槽使得在以材料填充了沟槽之后，在衬底薄化操作期间可以使所填充沟槽的底面部分暴露。在另一个实施例中，沟槽能够以热氧化物来填充。特征件能够具有减小在特征件和沟槽壁之间的距离将于随后的处理期间改变的可能性的形状。一种结构，能够至少部分形成于沟槽之内，其中该结构能够通过利用沟槽的深度而具有相对大的面积。该结构对制成诸如无源零件和穿过衬底的通孔的电子零件能够是有用的。限定沟槽并形成结构的工艺序列能够对于许多不同的工艺流程来调整。

主权项

一种电子器件，包括：限定第一沟槽的管芯衬底，所述第一沟槽具有基本上完全延伸穿过所述管芯衬底的深度；以及布置于所述第一沟槽之内并且与所述管芯衬底间隔开的第一特征件，其中：所述第一特征件沿着所述第一沟槽的所述深度的至少大部分延伸；以及从顶视图看，所述第一特征件包括第一段以及与所述第一段基本上邻接的第二段，其中与具有所述第一段没有所述第二段的另外特征件相比，所述第二段显著地提高了所述第一特征件的机械稳定性。